数码科技

IBM展示首个5nm制程芯片

其他国内媒体报道这新闻基本直接吹上天…hehe

IBM居然还在研发制程/s

这次展示的是IBM与Samsung、GF三方联合打造的5nm,采用了EUV光刻及GAA晶体管技术。

EUV+GAAFET这两项技术结合起来将能进一步提升密度,降低功耗,为更强大的CPU和GPU提供工艺基础。

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IBM自己说是“指甲盖大小集成300亿晶体管”,看图片是300mm晶圆,这指甲盖可不小….

EUV技术将会在Samsung的7nm制程上使用


这次展示的5nm只是试验罢了,试验可以不管生产速度和良率

距离能投产还远着呢,需要好几年时间。



各厂的工艺计划


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三星的工艺路线图,其中包括了4nm的EUV+GAAFET,安排在2020年风险试产



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GAAFET属于在目前现有的FinFET晶体管基础上的又一次革新 



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可能这张图会更清楚  图源:CNFET / Joerg Appenzeller


点击查看原图

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看到三方联合开发新制程感觉还是比较乐观的(三个臭皮匠),对AMD的未来也比较重要。

制程逐渐逼近物理极限,每一步都很艰难,就算是Intel。

将来各家制程的差距会越来越小吧。


图:OC3D.net

剧毒术士马文

留学中 Comp.Arch|RISCV|HPC|FPGA 最近沉迷明日方舟日服 联系方式请 discord 或者 weibo 私信。目前不在其他平台活动。 邮箱已更新为[email protected]。 看板娘:ほし先生♥

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3 评论

    1. @yue96:少打了个0
      原意是300亿
      具体密度还不清楚,看图算不准确
      TSMC 810mm2,12nmFFN已经堆到了了210亿,虽然良率十分感人

  1. IBM官网blog写的是30 billion(300亿)transistors啊,IBM的7nm制程就有200亿晶体管per chip了,而且IBM的这个5nm制程比现有的10nm制程在相同功耗下提升40%性能,或在相同性能下节省75%能源,对移动设备特别是手机和笔记本的续航有重大意义,其他方面也影响很大。当然,这一切还很遥远,但也算很了不起了。

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