迎战3D XPoint,Samsung SZ985 Z-NAND SSD 即将登场
用SLC 和3D XPoint 抗衡?如果性能真的够好,决胜点就在于价格了。
Intel 已经将3D XPoint 实体产品化,所推出固态硬碟强打延迟、随机读写性能、耐用度等,皆比快闪记忆体制品来得优异。身为全球最大固态硬碟与快闪记忆体供应商的Samsung,先前已经透露并展示Z-NAND 制品消息,将作为迎战Intel 与Micron 所联手3D XPoint 的武器,正式规格释出意味登场时间点不远了。
Samsung 新产品命名为 SZ985 Z-NAND SSD,所采用Z-NAND 理应当是植基于SLC 架构的颗粒,汇流排介面规格PCIe 3.0 x4 NVMe,机构设计为HHHL 半高半长介面卡形式。其定位如同Intel Optane DC P4800X,是针对资料中心等企业应用设计,但强调在够好的性能前提下,价格与 3D XPoint 相比会更吸引人。
SZ985 Z-NAND SSD 目前只有 800GB 单一容量选择,循序存取速度最高可达3200MB/s,反观Optane DC P4800X 仅读取2400MB/s、写入2000MB/s。至于随机存取方面,SZ985 Z-NAND SSD 标示为读取750000IOPS、写入170000IOPS,然而对手为读取550000IOPS、写入500000IOPS,随机存取表现是互有输赢。
关键的延迟部分,SZ985 Z-NAND SSD 虽然压低至读取12~20?s、写入16?s,仍不及对手皆10?s 来得优异,要说设计耐用度的话, 两造都宣称能够达到30DWPD(Drive Writes Per Day ,每日写入量)。可想而知,价格自然并非玩家所能承受,就看Samsung 未来是否有打算,推出和Optane SSD 900P 相抗衡的产品。
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