根据EETimes美国报导，日前积极宣布准备拆分晶圆制造事业，并期望能在市场上一举超越台积电的韩国三星，24 日举办了记者说明会，现场公布了旗下最新的工艺技术路线图。根据规划，在新的路线图中，三星希望能够在 2020 年推出 4 nm工艺技术，与届时将推出 5 纳米工艺的台积电一较高下。
三星半导体部门总裁Kinam Kim在加州圣克拉拉的Foundry Forum上公布了该公司的工艺路线图。
报导中指出，根据三星的计划，在未来三年内，也就是 2017 年至 2020 年之间，三星半导体的工艺技术将一步步的向前推进。计划在 2017 年底之前试产 8 nm工艺技术，2018 年量产 7 nm工艺技术，2019 年则陆续研发 6 nm以及 5 nm工艺，时程再推进到 2020 年之际，三星希望直接将MBCFET技术投入到其4nm低功耗（LPP）工艺中。
路线图中还包括第二代FD-SOI平台，4nm与5nm体硅FinFET工艺等
从现在到2020年之间，三星计划在今年投产8nm LPP工艺，明年则是一个采用EUV 的7nm LPP工艺，并于2019年推出5nm和6nm LPP工艺。
三星市场高级总监 Kelvin Low 表示，三星对于未来的发展路线充满希望和野心。因为，三星不单单只是规划这些新的工艺技术，而是在这些时间点上，三星真的能够实现预定的计划如。
目前，三星还指出，自己晶圆厂所使用的光刻机已经可以达到每天 1,000 片晶圆的产量。而未来，三星还希望能将产量提升 50%，来到 1,500 片的数量。同时，三星还宣布，将会在 2018 年引进艾司摩尔（ASML）最先进的 EUV 光刻机加入到晶圆的生产过程中，以提高产能及良率。
至此，EUV这个被寄予厚望，在193nm沉浸式光刻技术上获得成功，却迟迟无法量产的光刻技术，终于要步入正轨了。三星，台积电和Globalfoundries都宣布将把EUV技术用在2019年的量产中。
相对于三星在工艺上的规划，晶圆制造龙头台积电也逐步推进自己的工艺发展。在 2017 年 10 nm工艺正式量产之后，2018 年将开始 7 nm工艺的生产，之后更先进的5nm工艺则会在 2020 年量产。而台积电共同CEO暨总经理刘德音之前也透露，目前台积电已经组成数百人的研发团队，针对更先进的 3 nm工艺研发中，成为首家透漏已在 3 nm工艺上布局的晶圆制造企业。所以，面对三星的来势汹汹，台积电方面似乎也已经做好了准备。
三星还详细介绍了2019年面向风险生产的18nm FD-SOI工艺技术。该公司计划在导入第二代FD-SOI之前，将射频和嵌入式MRAM集成到一个更广的平台上，逐步扩展其现有的28nm FD-SOI工艺。这个平台与前代相比，将节省40％的功率，实现20％的性能提升和面积优势。
via：http://www.eet-china.com/news/article/201705261430
