Samsung 三星开始量产512GB UFS NAND闪存：64层 V-NAND，读取860MB/s

周二三星宣布开始了512GB容量UFS NAND闪存芯片的初步量产，该芯片基于三星的64层 512Gb V-NAND。新的UFS封装内置三星最新的控制器，将被包括智能手机在内的各类设备所采用。【各家下代旗舰机可能会有512GB版本】

这款512GB eUFS封装大小为11.5x13mm，是三星首款采用了64层512Gb TLC V-NAND的解决方案，新的控制器改善了闪存映射表的管理。

还采用了两条全双工HS-Gear3总线，每条传输速率5.8GT/s。兼容当前三星、高通和其他支持UFS2.1规范的SOC。

性能方面，连续读取性能最高860MB/s，连续写入速度最高255MB/s，与2016年发布的256GB eUFS相当。

随机读写IOPS为42K/40K，也与前代采用48层256Gb V-NAND的芯片相近。

由于性能、良率和其他各种原因，上一代的64GB/128GB/256GB UFS2.1还会继续生产。

同时三星还宣布计划提升64层256/512Gb V-NAND的产量，以满足移动平台、固态硬盘及其他产品的需求。

via：https://www.anandtech.com/show/12120/samsung-starts-production-of-512-gb-ufs-chips

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