Samsung 三星发布SZ985：最大800GB Z-NAND

三星今天正是发布了首款Z-SSD系列产品 – SZ985，一款高性能高耐久的企业级NVMe SSD。Z-SSD采用了三星的Z-NAND技术，基于三星自己的3D NAND Flash闪存，竞争对手就是Intel的3D XPoint存储。

原先三星计划2016年Z-NAND和1TB的Z-SSD，然后2017年跟进2TB和4TB版本；而今天发布的800GB和240GB不仅时间晚了许多，容量也小了。对于Z-SSD的信息三星没有透露太多，只说配了1.5GB LPDDR4缓存：一般1TB的SSD会配1GB缓存，所以要么三星实际上给800GB Z-SSD配了1.5TB的Z-NAND，要么是Z-NAND比普通3D NAND更需要缓存。

性能方面三星也没有提供完整规格，提到了几项有优势的性能数据：4K随机读取750K IOPS，比Intel Optane SSD DC P4800X的550K高不少；4K随机写入则只有170K IOPS，Intel的P4800X是500K。尽管三星没法完全克服闪存的限制，Z-NAND的提升还是相当可观的。

三星也和自家的主流企业级进行了对比，Z-NAND的闪存单元读取性能比3D TLC NAND高10倍，结果就是随机读取性能比PM963 NVMe SSD还高70%。没有给出确切的读取延迟，写入延迟在16μs。

尽管写入性能不算惊艳，SZ-985依然能经受写入密集型负载。耐久度评级达到30 DWPD，保固5年=大概42PB写入。5年保固和30DWPD都和Intel Optane一样。不过这俩无论是性能还是耐久，都还不及六年前镁光的P320h SLC SSD，只有Intel的随机写入高于P320h。【2011年6月发布的P320h采用34nm ONFI 2.1 SLC，连续读写3200/1900MB，随机读写785K/205K IOPS，耐久达到了25PB（350GB版）和50PB（700GB版），不支持NVMe，PCIe 2.0 x8】相比SLC闪存，基于3DNAND的Z-SSD最大的优势可能就在于成本了。

镁光的P320h

三星将在ISSCC大会上提供更多信息。

via：https://www.anandtech.com/show/12376/samsung-launches-zssd-sz985-up-to-800gb-of-znand

原作者：Billy Tallis 

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