或许有人会把2016年形容为磁阻式随机存取内存(MRAM)市场的引爆点。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出货商用MRAM产品的公司。不过，就像Spin Transfer Technologies(STT)执行长Barry Hoberman一如既往地表达肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM业者铺路。
STT的公司历史最早可追溯到2001年??一项最初由美国纽约大学(New York University)教授Andrew Kent主导的研究中所开发的技术。到了2007年，总部位于波士顿的多元控股公司Allied Minds正式成立了STT并开始营运。2016年9月，这家开发出正交自旋转移MRAM技术(OST-MRAM)的美国业者宣布，在其加州费利蒙(Fremont)公司总部的自家研发晶圆厂，成功制作出小至20nm的垂直MRAM磁穿隧接面(pMTJ)，预计在2018年让产品正式上市。
从那时起，STT已经为北美和亚洲的客户提供其OST-MRAM样片了，这可说是一个重要的里程碑，因为它是几种新兴内存中被视为可能取代动态随机存取内存(DRAM)与NAND闪存(flash)的下一代候选技术之一；特别是随着业界持续迈向更先进的制程节点，DRAM与NAND flash正面对微缩带来的挑战。STT是少数几家开发MRAM的公司之一，因此，如今开始出样晶片可说是验证MRAM整体性能以及STT技术的重要时机。
《EE Times》有幸与STT执行长Barry Hoberman谈到了该公司近来的快速成长，以及随着更多业者进入MRAM市场带来的商机，包括MRAM可能接班主流内存技术的未来前景。
STT执行长Barry Hoberman
目前客户对于你们提供的样片反应如何？
我们已经出样新晶片给广泛的客户了，他们都是足以评价这种内存类型的大型现有业者，具有高度的可信度。我们在这次产品出样周期的目标是产生完整的内存，能够满足稳健可靠的评测。我们很高兴能有机会流通这些样片，让客户在测试后都回来找我们，告诉我们说这款产品的功能齐全，符合所有提供的规格，而且找不到任何错误。这为我们在推进下一次与客户接触的机会开启了大门，客户现在都确实地认识了我们是一家拥有第三代pMTJ基础技术的公司，也肯定我们制作可用内存的专业技术。
开发商用MRAM的挑战与其他新兴内存有何不同？
了解MTJ技术的真正重要之处在于他们已经用于硬碟的读取头超过10年以上了，具有经验证的生产和可靠性等功能。每年约有30~40亿颗硬碟读取头中都包含了MTJ元件。
而与MRAM有关的问题在于了解如何将MTJ整合于CMOS制程、如何使MTJ的性能特征相容于内存，以及如何扩展MTJ的制造产能，达到每个内存晶片中约10亿的数量级，而不只是每个硬碟读取头中使用1个MTJ元件；这些是目前最主要的三项挑战。这和相变内存、电阻式RAM和纳米线等其他新式内存技术有很大的不同??毕竟，这些新式内存技术的物理特性是全新的，尚未经任何一种制造技术验证，也没有现行的产业生态系统可支持。
您将Everspin等竞争对手称为追踪MRAM的先驱。那么，当您推动自家技术进展时，如何看待竞争对手的成就？
这是对于整个生态系统所建立的一种信心，包括对于投资人、客户，以及设备供应商等。
您认为MRAM存在哪些机会？
我们知道目前有四家代工厂都在其开发蓝图中规划了第三代基于pMJT的MRAM技术，并预计在2018年的下半年进入量产，，并在那之后相应地加快速度。MRAM目前处于锁定三大技术的早期阶段：其一是作为非易失性内存(NVM)领域的替代方案，特别是嵌入式NOR flash。此外，它还可以作为传统CMOS高速嵌入式静态随机存取内存(SRAM)的替代技术。我认为这项技术更适于在此领域实现差异化。第三是作为DRAM的替代技术。目前DRAM市场成长开始趋缓，未来可能会由特别有利于储存应用的持久特性主导市场成长。
至今许多采用MRAM的场合都离不开储存应用。是否还有其他细分市场存在新应用的例子？
在手机中有几个地方需要超过200Mb的静态内存，而当你尝试使用SRAM时，就会发现那真的是在烧钱。降低静态内存的成本看来势在必行，再者，因为它用在行动装置中，所以对于功耗也十分敏感。40nm以下的传统解决方案由于漏电流之故而经常耗用较大电源。如今，以MRAM取代SRAM几乎可完全排除漏电流的问题。
此外，为使用中的资料提供保护方面也是一大挑战。许多应用都需要高频宽，高速资料经由系统传送的同时，也进入其永久储存的位置。在资料顺利传送到安全可靠的最终存放位置以前，如果发生了危及资料的故障情况会很麻烦，这正是MRAM得以发挥作用之处。
如何更普遍地使用闪存，从而为MRAM创造机会？
我们可以在固态硬碟(SSD)中将储存区划分为大小不同的储存容量。较大的储存容量具有flash的时间特性，亦即所谓的微秒级NVM；较小的储存容量则采用高速、持久型的内存技术，也就是纳米级NVM。当你将这两种技术混合于同一系统时，必须考虑成本而适度地进分划分，以便能在每秒输出入次数(IOPS)方面取得更高的性能提升，甚至较传统基于flash的SSD更高一个数量级。
物联网(IoT)正着手打造利用现有内存技术的各种新方法，以解决诸如功耗等问题，同时要求相对较低的密度。MRAM如何在此发挥作用？
如果你直接比较一下其他着眼于物联网的替代方案，例如相变内存和电阻式RAM，以及闪存，这些技术根本没有足够的耐久性可用于执行像记录资料等任务，特别是有些资料记录功能采用了较小型的电池。
除了代工厂的承诺之外，您如何看未来12~18个月的MRAM发展前景？
让这项技术投入生产产线的第一家主要代工厂，以及真正的开始出货，即将在业界刮起一阵旋风。半导体产业真的必须牢牢记住，过去四十多年来的技术主力一直是SRAM、DRAM和flash及其先驱技术。而这将是首次大量生产的重要大事。目前已经有了一些利基技术，如铁电随机存取内存(FRAM)与电子抹除式可复写唯读内存(EEPROM)，但也都因其利基特性而受限。
然而，当你导入了MRAM，其特点就在于它是在这40到50年间真正进入内存架构的第一件大事。仅就这一点来看它就具有相当巨大的发展潜力了。
编译：Susan Hong
(参考原文：MRAM Momentum Poised to Disrupt Memory Workhorses，by Gary Hilson)
via：http://www.eettaiwan.com/news/article/20170822NT31-MRAM-Poised-to-Disrupt-Memory-Workhorses
