4 + 4 核心?理器,Qualcomm Snapdragon 835 ? Kryo 200 架?
10nm FinFET ?程,Qualcomm Snapdragon 835 ?定後…
Qualcomm 公布 10nm FinFET ?程,??入 Quick Charge 4 快充技?的 Qualcomm Snapdragon 835 後,其?格更成?市??目的焦?。?於 Qualcomm Snapdragon 835,目前可?定的就是 10nm FinFET ?程、Quick Charge 4 ? Qualcomm Snapdragon X16 LTE Modem。
不?,稍早有一些?於 Qualcomm Snapdragon 835 的??被揭露。
如果???有??的?,Qualcomm Snapdragon 835 ?使用 Kryo 200 架?。至於什?是 Kryo 200 架?,目前推?它是 Kryo 架?的升?版,那?有什?特色,目前不知道;GPU 部分?是 Adreno 540,一般相信是 Adreno 530 的升?版,在架?上?不?有太大?化。
核心?量部分?升?至 4 + 4 配置。
?於?理器核心?量提升,其?市?早前就有出??似??,但後?的消息大部分均????持在 4 核心配置,因此 4 + 4 核心的?音就慢慢弱掉。
此外,???部分也??始支援 LPDDR4X ??,其中 SK Hynix ? Samsung Electronics 都已???好。
Qualcomm Snapdragon 835 外,其?代? MSM8976 Plus 的 Qualcomm Snapdragon 660 更引我??注。
Samsung Electronics 14nm LPP ?程的 Qualcomm Snapdragon 660 可能使用 Kryo 架?,但也有可能是 ARM Cortex-A73 搭配 ARM Cortex-A53,目前?於?款 SoC 的??仍?太少,就?且相信它?如此。?然?理器架?相?先?,但 Modem 部分?持目前 Snapdragon 600 系列主流的 Snapdragon X10 LTE Modem。
???部分支援到 LPDDR4,?可以搭配高速的 UFS 2.1,就?面上的?格??,Qualcomm Snapdragon 660 ? Huawei Kirin 960 有?相似。
10nm FinFET ?程的 Qualcomm Snapdragon 835 ?意外的?,首??交? Samsung GALAXY S8,而中?品牌最快也要到 3 月份左右才?有?置登?;14nm FinFET LPP 的 Qualcomm Snapdragon 660 最快?在第二季?始推出?置,目前?看,一?的中?品牌?????款 SoC。