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10nm ?程 SoC ?入量?,Samsung Electronics ? 2017 做??

14nm FinFET 之後,跟著就要?入 10nm FinFET ?程的?域。

GlobalFoundries ?定退出 10nm ?程?,跟著 Intel、TSMC 以及 Samsung Electronics 都?在 2017 年?入 10nm FinFET ?程。

Samsung Electronics 在 10 月 17 日?布新?稿,宣布?始量? 10nm FinFET ?程的 SoC,而??作要? Intel ? TSMC 快。可以?? 10nm 主要?品除了自家在 2017 年旗?的 Exynos ?理器外,另一???是 Qualcomm Snapdragon 830 or 835。

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不?,Qualcomm ?未??此事做出任何回?。

?入 10nm FinFET ?程之後,?於晶??而言,??是一?很大的??。

?程越先?,也就意味著在同一大小的?理器中,可以塞入更多的?晶?以提升整?效能表?。Samsung Electroncis 在新?稿中提到,相?於 14nm FinFET,全新的 10nm FinFET ?程?可以提升 27% 的效能表?、降低 40% 的功耗以及提升 30% 的面?效率。

目前 Samsung Electronics 第一代 10nm FinFET ?程? 10LPE,而在 2017 下半年推出 10LPP 的第二代?程。


https://benchlife.info/samsung-mass-production-10nm-soc-with-10lpp-10172016/

剧毒术士马文

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