10nm ?程 SoC ?入量?，Samsung Electronics ? 2017 做??

14nm FinFET 之後，跟著就要?入 10nm FinFET ?程的?域。

GlobalFoundries ?定退出 10nm ?程?，跟著 Intel、TSMC 以及 Samsung Electronics 都?在 2017 年?入 10nm FinFET ?程。

Samsung Electronics 在 10 月 17 日?布新?稿，宣布?始量? 10nm FinFET ?程的 SoC，而??作要? Intel ? TSMC 快。可以?? 10nm 主要?品除了自家在 2017 年旗?的 Exynos ?理器外，另一???是 Qualcomm Snapdragon 830 or 835。

?入 10nm FinFET ?程之後，?於晶??而言，??是一?很大的??。

?程越先?，也就意味著在同一大小的?理器中，可以塞入更多的?晶?以提升整?效能表?。Samsung Electroncis 在新?稿中提到，相?於 14nm FinFET，全新的 10nm FinFET ?程?可以提升 27% 的效能表?、降低 40% 的功耗以及提升 30% 的面?效率。

目前 Samsung Electronics 第一代 10nm FinFET ?程? 10LPE，而在 2017 下半年推出 10LPP 的第二代?程。