【Anandtech】高通骁龙835性能预览
【CPU整数性能高于A73,更高于Kryo;浮点弱于Kryo。Adreno 540比530提升25%。】
骁龙820 SoC是高通路线图的重要里程碑。与808/810相比稳步提升,提供更高的性能和效率,被去年大部分旗舰手机采用。更重要的是,它预示着高通对移动设备的看法:异构计算。
新硬件:Hexagon 680 DSP,增加了SIMD HVX; 还有高通首款全面定制的64位CPU内核Kryo专注于改进浮点IPC; 以及更新的Adreno GPU,具有强大的ALU性能,可实现新的软件技术和用户体验 – 为更智能的个人助理提供人工智能,用于对象识别的机器学习。
Snapdragon 835 – 基于这一愿景的进化产品,现在是高通Snapdragon移动平台的一部分,集成了高通所有的软硬件。骁龙835晶体管超过30亿,是第一个使用三星10nm“10LPE”FinFET工艺的SoC。835比820整体封装尺寸减少了35%。新的SoC CPU和下行1Gbps的X16 LTE modem(Cat16)是最大的变化。SoC中的大多数其他模块也有小幅更新。
MDP从810的平板变成820的6.2寸平板手机,再到这次835的5.5寸手机,暗示835的TDP应该会更低。本次MDP平台配置为5.5寸2560×1440显示屏+2850毫安电池+6GB RAM。
CPU系统性能
骁龙820上的Kryo为高通完全定制的64位内核,浮点IPC出色,但整数IPC不及老架构Cortex A57,能耗比也不及其他几家。高通在835上采用了完全不同的策略:半定制
虽然835的Kryo 280带有Kryo的名号,但DNA完全不同。835采用八核big.LITTLE配置,四个“高性能”内核和四个低功耗“能效”内核。
使Kryo 280独一无二的是,它采用了基于ARM BoC(Built on ARM Cortex Technology)许可的半定制化核心,而不是完全从头设计。BoC许可允许厂商对架构进行部分修改,特别是读取模块和分发队列。高通没有说明835是基于哪个架构改造的,但确认835的核心都是半定制化核心。835的内存控制器是高通的自主设计。
整数性能
Kryo280的整数IPC比骁龙820有了长足进步,但JPEG,Canny和Camera中性能倒退,在Kirin 960的A73 CPU上也是一样,结合整数性能以及L1 / L2缓存的行为来看,Kyro280应该是基于ARM最新的IP【A73】进行定制的。
部分整数性能上,骁龙835和Kirin960有无法用主频或者测试误差来解释的差距(9% ~ -5%),应该是半定制带来的差异。
整数性能IPC
浮点性能
相比Kryo核心,Kryo 280的浮点性能倒退不少,甚至略微落后于Cortex A72,与A73持平。
A73的浮点性能比A72略低,Kryo 280也是这样。要知道A73在A72的设计上,NEON执行单元基本没有改动。要说有什么区别的话,A73的前端延迟更低,读取模块和内存系统的改进应该有提升才对。但事实并非如此。A73的解码部分更窄,可能在部分情况下限制性能。
相比Cortex A72,Kirin 960和Kryo 280的L1读取带宽、L2读/写带宽都有降低,也可能会影响性能。
浮点IPC
内存性能
系统性能
GPU性能
骁龙835的Adreno 540和上代530基本架构相同,ALU和寄存器的小改进消除了部分GPU瓶颈。高通声称Adreno 540的峰值性能提升了25%。
同时10nm LPE制程也将Adreno 540的频率提升到了710MHz。
本次MDP平台配置为5.5寸2560×1440显示屏。
功耗
835相比820降低了23%功耗,实际应用由于不是一直满载,所以差距不会这么大。
via:http://www.anandtech.com/show/11201/qualcomm-snapdragon-835-performance-preview/
基带啊基带,可惜了老黄!