三星透露11LPP制程细节：10nm BEOL遇见14nm制程基础

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三星最近将一款新的制程-11LPP 加入了路线图。该制程为中高端手机SOC所设计，明年上线，基于三星的14nm及10nm制程。

11LPP属于另一种混合制程，加速节点间的迁移。11LPP并不是14LPP（14nm FinFET+20nm BEOL）的马甲改进，而是使用了三星的10nm BEOL，芯片面积比14LPP更小。

去年10月三星开始用10LPE（10nm Low Power Early）制造芯片，最近10LPP已经开始准备投产。这两款制程都用于顶级手机SOC，而主流及低功耗芯片仍将采用14nm工艺。

11LPP将填补10nm与14nm间的空缺，主要提升了晶体管密度、频率潜力以及功耗表现。三星称同样晶体管数和功耗下，11LPP比14LPP性能要高15%。同时11LPP比14LPP面积减少10%（同样晶体管数）。11LPP的晶体管密度也更高。

明年三星准备用8LPP（某些层采用EUV）生产自家旗舰SOC。作为商用EUV的首次引入，也并不会影响DUV技术的进步。接下来几个季度三星将陆续引入14LPU、10LPU以及新的11LPP制程。

三星预计11LPP会在2018年下半年投产，具体客户的HVM时间视各自计划而定。

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via：https://www.anandtech.com/show/11877/samsung-details-11lpp-process-technology-10-nm-beol-meets-14-nm-elements

作者： Anton Shilov 

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