EUV微影前进7nm制程
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2018年1月24日 22:51 星期三   热度:382°   2条评论    
时间:2018-1-24 22:51   热度:382° 
极紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技术将在未来几年内导入10奈米(nm)和7nm制程节点。不过,根据日前在美国加州举办的年度产业策略研讨会(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所发布的分析显示,实现5nm晶片所需的光阻剂(photoresist)仍存在挑战。

同时,EUV制造商ASML宣布去年出货了10台EUV系统,今年将再出货20至22台。该系统将拥有或至少可支援每小时生产125片晶圆所需的250W雷射光源。

IC Knowledge总裁Scotten Jones表示:「在7nm采用EUV的主要部份已经到位,但对于5nm来说,光阻剂的缺陷仍然高出一个数量级。」

经过20多年的发展,新的和昂贵的系统均有助于为下一代晶片提供所需的优质特性,并缩短制造时间。Scotten说,这些系统将首先用于制造微处理器等逻辑晶片,随后再应用于DRAM,但现今的3D NAND快闪记忆体晶片已经不适用了。

「EUV大幅减少了开发周期以及边缘定位的误差…,但成本降低的不多,至少一开始时并不明显。此外,还有其他很多的好处,即使没什么成本优势,它仍然具有价值。」

Jones预计,ASML将在2019-2020年之间再出货70台系统。这将足以支持在Globalfoundries、英特尔(Intel)、三星(Samsung)和台积电(TSMC)规划中的生产节点。


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除了EUV系统本身,其他重要的挑战还包括薄膜、光罩测试仪和抗蚀剂(来源:ASML)


Jones表示,ASML计划将系统的正常运行时间从现在的75%提高到90%,这同时也是微影技术业者最关切的问题。此外,他表示相信该公司将会及时发布所需的薄膜,以保护EUV晶圆避免微尘的污染。

为了开发针对5nm可用的抗蚀剂,「我们有12到18个月的时间来进行重大改善。业界将在明年产出大量晶圆,这将有所助益。」Jones并估计,到2019年晶圆厂将生产近100万片EUV晶圆,到了2021年更将高达340万片晶圆。

ASML的目标是在2020年时,将其250W光源所能达到的每小时145片晶圆的吞吐量提高到155片/时。ASML企业策略和行销副总裁Peter Jenkins在ISS上指出,该公司已经展示实验室可行的375W光源了。

目前该公司的薄膜已经能通过83%的光线了,至今也以245W光源进行超过7,000次的晶圆曝光测试了。然而,第二代7nm节点在搭配用于250W或更高的光源时,预计还需要一个传输率达到90%的薄膜。

GF、英特尔、三星与台积电的7nm版本

Jones谈话中最有趣的部份内容就是对于10nm、7nm和5nm节点的详细分析。台积电去年秋天通过7nm制程,目前正使用现有的光学步进器实现量产。他说,Globalfoundries将在今年晚些时候推出类似的制程。

两家公司计划在明年初量产第二代7nm制程,采用EUV制作触点和通孔,将15个光学层数减少到5个EUV层。这一制程可望缩短周期时间,而且不需要薄膜。

Globalfoundries去年六月份宣布在2019年采用EUV实现7nm的计划。Jones「台积电私下告诉客户也计划如此。」琼斯说。

晶片制造商可能必须使用30mJ/cm 2剂量的抗蚀剂,这高于其目标的20mJ/ cm 2。他们还可能必须使用电子束系统检查光罩的缺陷,而不是像EUV系统一样使用13.5mm波长寻找缺陷的光化系统。

Globalfoundries、三星和台积电除了使用触点和通孔外,还计划为不同的7nm版本使用EUV和薄膜来制作1x金属层。这些制程将提供微缩,并使23层光学层减少到9层EUV。

这正是三星将在明年初推出的首款7nm节点,即7LPP。台积电的7FF+版本,预计将在2019年中期推出,Globalfoundries则将在明年年底推出7LP+。


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Jones详细介绍了他预计到2020年将会看到的各种10nm、7nm和5nm制程版本


Jones表示,英特尔目前使用的10nm制程采用光学步进器实现量产,提供的密度相当于其竞争对手所能实现的最佳7nm版本。他预期英特尔将在2019年采用EUV升级10nm+制程。

三星和台积电已经在讨论可能在2019年底前提供5nm制程。他们应该会是第一批使用EUV制造1D金属层的制造商。他说,如果有更好的抗蚀剂出现,这个制程就能使用EUV减少多达5个切割光罩,让FinFET减少到仅使用1个光罩。

另外,Jenkins表示,ASML已经为支援高数值孔径(NA)的EUV系统完成光学设计部份了,而且整体设计「顺利」。该公司已于2016年底宣布计划在2024年量产该新系统。

尽管EUV是推动半导体产业制造更小晶片的重要里程碑,但预计并不至于颠覆目前的晶片制造设备和装置市场。Jones说,晶圆厂将会持续需要大量的现有资本设备和供应,才能与EUV一起迈向未来的制程节点。



编译:Susan Hong

(参考原文:EUV, 7-nm Roadmaps Detailed,by Rick Merritt)

via:https://www.eettaiwan.com/news/article/20180123NT01-euv-7nm-roadmaps-detailed

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本文作者:剧毒术士马文      文章标题: EUV微影前进7nm制程
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nyanyanGoogle Chrome 63.0.3239.132Windows 102018-01-25 10:53
最后一张对比图。。。
元器件尺寸都还是30-50nm左右呀。
gf和tsmc都追上来了,这是个好事。
原来gf的7nm就不是授权的了,真不错。
剧毒术士马文2018-01-26 01:56
@nyanyan:不是授权
三星 IBM GF一起整出来的

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