21nm 製程,SK Hynix 8GB LPDDR4 記憶體出貨
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年12月23日 18:46 星期五   热度:832°   0条评论    
时间:2016-12-23 18:46   热度:832° 
在 Samsung Electronics 之後,SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產品。

Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公佈智慧型手機用的 8GB LPDDR4 記憶體,而 SK Hynix 則是在 12 月 21 日,足足晚了 2 個月。

目前 8GB(64Gb)的 LPDDR4 記憶體將由 4 顆 16Gb 記憶體在同一封裝內組成。
img011.jpg

8GB 的 SK Hynix LPDDR4 記憶體將會有 366 ball 與 376 ball 兩種規格。其中 366 ball 可以與 SOC 或是 UFS 疊在一起,目前已經開始出貨,至於 376 ball 將會在 2017 年第一季開始供應。

SK Hynix 的 16Gb 記憶體使用的是 21nm 製程,而稍早 Samsung Electronics 部分則是 10nm 級別製程。

相較於 SK Hynix 的 3733MT/s 傳輸速率,Samsung Electronics 可以達到 4266MT/s。


来源:benchlife

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本文作者:剧毒术士马文      文章标题: 21nm 製程,SK Hynix 8GB LPDDR4 記憶體出貨
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