ARM、赛灵思首发TSMC 7nm:2017年初流片,2018年上市
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年12月10日 20:40 星期六   热度:729°   0条评论    
时间:2016-12-10 20:40   热度:729° 
TSMC、三星不仅要争抢10nm工艺,再下一代的7nm工艺更为重要,因为10nm节点被认为是低功耗型过渡工艺,7nm才是真正的高性能工艺,意义更重大。现在ARM宣布已将Artisan物理IP内核授权给赛灵思(Xilinx)公司,制造工艺则是TSMC公司的7nm。该芯片明年初流片,不过2018年才会正式上市。

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赛灵思是重要的FPGA芯片公司,也是TSMC公司的大客户之一,TSMC的新工艺大多是FPGA芯片首发,这次合作也不例外。ARM授权赛灵思公司在TSMC公司的7nm工艺上使用自家的Artisan物理IP内核,后者是ARM开发的PGA(Power Grid Architect),可以优化集成电路的电源栅极,号称减少10%的芯片面积,提升20%的面积利用率。

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根据ARM、赛灵思的信息,该物理IP预计在明年初流片,2017年出样给客户,不过正式上市要等到2018年。这个时间点跟TSMC宣布的7nm量产时间差不多,该公司之前多次强调会在2018年量产7nm工艺。

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TSMC的7nm工艺优势

那么7nm工艺到底能带来多大的提升?恰好TSMC这两天公布了部分7nm工艺细节,他们已经使用7nm工艺试产了256MB SRAM电路,cell单元面积只有0.027mm2,读写电压0.5V,与16nm工艺相比速度可以提升40%,或者功耗降低65%。

不过TSMC这个对比中还隔了一个10nm,他们之前也公布过与10nm工艺的对比,7nm工艺下晶体管速度提升20%,或者能耗降低40%。


来源:expreview

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本文作者:剧毒术士马文      文章标题: ARM、赛灵思首发TSMC 7nm:2017年初流片,2018年上市
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